【中玻網(wǎng)】近日有消息報道，在開發(fā)出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術(shù)。相關論文已發(fā)表在學術(shù)雜志《ScientificReports》上。除了與現(xiàn)有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技術(shù)還有可能實現(xiàn)用無機LED制作農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL那樣的大面積發(fā)光元件，下面來給大家說說！

　　藤岡教授的研究室在約2英寸(直徑約5cm)的玻璃基板上轉(zhuǎn)印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構(gòu)造構(gòu)成的量子阱、p型GaN晶體。

　　藤岡表示，很早以前就開始開發(fā)利用濺射法制作LED的技術(shù)，“還沒有發(fā)布過這些技術(shù)的詳細內(nèi)容，只是在累積經(jīng)驗”。另外，藤岡研究室還在2008年開發(fā)出了在石墨片材上用“脈沖激勵沉積法(PXD)”形成GaN晶體的技術(shù)。

　　此次在可稱得上是較薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認可實際發(fā)光。據(jù)介紹，分別制作了以紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)三原色發(fā)光的LED。

　　目前還無法檢驗白色發(fā)光的發(fā)光效率，以及單色狀態(tài)下的外部量子效率，正在對較低溫條件下的內(nèi)部量子效率進行評估。藤岡教授表示，“與藍寶石基板上制作的LED相比，內(nèi)部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將內(nèi)部量子效率提高至與現(xiàn)有LED相當?shù)乃健?/p>